品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2057}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6431-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7112DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT35M4LFVW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:982pF@15V
连续漏极电流:16A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS406DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4982NFT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:26.5A€207A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E110AJTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@10mA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@4.5A,11V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7112DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7112DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: