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    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 91W
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:46.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2939pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R9-30MLC,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R9-30MLC,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R9-30MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:36.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2419pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R9-30MLC,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R9-30MLC,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R9-30MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.15V@1mA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2419pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2939pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2939pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R9-30MLC,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R9-30MLC,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R9-30MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:36.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2419pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R9-30MLC,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R9-30MLC,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R9-30MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:36.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2419pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R9-30MLC,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R9-30MLC,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R9-30MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:36.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2419pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2939pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2939pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":497,"MI+":2015}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R4-30MLDX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3264pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订776个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订776个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C02NTAG 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2980pF@15V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YLDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2939pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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