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    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 1.25W
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订75个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订75个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001 起订34个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001 起订34个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3402_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS5U13TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03TR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ045N03TR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ045N03TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3400_R1_00001 起订6000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3400_R1_00001 起订6000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1 起订23个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1 起订23个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U12TR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U12TR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS5U12TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ020N03TR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ020N03TR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ020N03TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K513NU,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K513NU,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K513NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@100µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6424 起订1500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6424 起订1500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6424

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K516NU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ020N03TR 起订5000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ020N03TR 起订5000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ020N03TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ020N03TR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ020N03TR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ020N03TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3400_R1_00001 起订21000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3400_R1_00001 起订21000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS5U13TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E055BNTCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E055BNTCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E055BNTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ020N03TR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ020N03TR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ020N03TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ020N03TR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTQ020N03TR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTQ020N03TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3400_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3400_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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