品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2306CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3402_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS5U13TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTQ045N03TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3404-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2306CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS5U12TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2306CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTQ020N03TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2306CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K513NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@100µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6424
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTQ020N03TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:3.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTQ020N03TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2306CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2306CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS5U13TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E055BNTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTQ020N03TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTQ020N03TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: