采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4433，"07+"：49500，"08+"：1500，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA96DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1332，"07+"：14052，"08+"：205778，"10+"：43996，"MI+"：6900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA96DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA96DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA96DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA96DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA96DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4707NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@24V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA96DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：27500，"06+"：11126，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4707NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@24V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5925，"10+"：187915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4872NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：6A€10.2A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA96DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA96DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4433，"07+"：49500，"08+"：1500，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4708NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@24V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：27500，"06+"：11126，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4707NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@24V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5925，"10+"：187915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4872NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：6A€10.2A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：27500，"06+"：11126，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4707NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@24V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1332，"07+"：14052，"08+"：205778，"10+"：43996，"MI+"：6900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1193，"13+"：300，"15+"：843，"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4916NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1376pF@25V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
