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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：761402}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€21.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
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功率：780mW€21.5W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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分类：Mosfet场效应管
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品牌：TI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
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功率：780mW€21.5W
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€21.5W
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
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功率：780mW€21.5W
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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功率：2.6W
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类型：N沟道
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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功率：2.6W
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
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栅极电荷：7.8nC@4.5V
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输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：761402}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€21.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
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输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
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栅极电荷：7.8nC@4.5V
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输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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漏源电压：30V
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类型：N沟道
连续漏极电流：12A
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：2.6W
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栅极电荷：7.8nC@4.5V
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类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
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功率：2.6W
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€21.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€21.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€21.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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