采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4001NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVS4001NT1G
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功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：1.3nC@5V
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输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
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功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVS4001NT1G
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功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVS4001NT1G
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功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
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功率：330mW
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栅极电荷：1.3nC@5V
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输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
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输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4001NT3G
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功率：330mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
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连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4001NT3G
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功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：1.3nC@5V
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输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
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功率：330mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVS4001NT1G
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功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4001NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：1.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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