品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R165CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP21N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0120065L-TR
工作温度:-40℃~175℃
功率:86W
阈值电压:3.6V@1.86mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:157mΩ@6.76A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG22N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2633}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC0310AS-F127
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7831TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@250µA
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6240pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:887pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R115CFD7AXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@490µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0120065L-TR
工作温度:-40℃~175℃
功率:86W
阈值电压:3.6V@1.86mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:157mΩ@6.76A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3120ALHRC11
工作温度:175℃
功率:103W
阈值电压:5.6V@3.33mA
栅极电荷:38nC@18V
包装方式:管件
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@6.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3120ALGC11
工作温度:175℃
功率:103W
阈值电压:5.6V@3.33mA
栅极电荷:38nC@18V
包装方式:管件
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@6.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R165CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7862TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4090pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2322pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":197,"MI+":1450}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA21N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34.5W
阈值电压:3.9V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5832NLWFT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€127W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R125CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2150
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: