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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R950CEAKMA1 起订2084个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R950CEAKMA1 起订2084个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":146849,"16+":16500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU50R950CEAKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:231pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13385F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@6V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU110PBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU110PBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU110PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRLPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRLPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R950CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP5NK80Z 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STP5NK80Z 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP5NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:45.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:910pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP5NK80ZFP 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP5NK80ZFP 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP5NK80ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:45.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:910pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:622pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.27Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:252pF@50V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS65R1K0CEAKMA1 起订1389个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS65R1K0CEAKMA1 起订1389个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1500,"16+":1480,"9999":398}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS65R1K0CEAKMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:328pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R950CEAKMA2 起订2084个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU50R950CEAKMA2 起订2084个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":235740,"15+":21000,"16+":1500,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU50R950CEAKMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:53W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:231pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:252pF@50V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110PBF 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110PBF 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR110PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD4N80E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:622pF@100V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.27Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N15TM 起订1366个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N15TM 起订1366个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2410}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N15TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR110TRPBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU110PBF 起订75个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU110PBF 起订75个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU110PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@900mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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