品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":146849,"16+":16500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU50R950CEAKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:231pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13385F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@6V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU110PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:231pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR110TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:231pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@2.15A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:622pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.27Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1500,"16+":1480,"9999":398}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS65R1K0CEAKMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":235740,"15+":21000,"16+":1500,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU50R950CEAKMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:231pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@50V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR110PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:622pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.27Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2410}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N15TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU110PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: