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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US5U3TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US5U3TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：US5U3TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：US5U3TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US5U3TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
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输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：US5U3TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
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输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：US5U3TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
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栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US5U3TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
栅极电荷：2.2nC@4.5V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：1V@1mA
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
输入电容：200pF@10V
功率：1W
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
栅极电荷：2.2nC@4.5V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：1V@1mA
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
输入电容：200pF@10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US5U3TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US5U3TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LXHF
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功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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