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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LCG-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LCG-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LCG-7

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2100UDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2100UDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2100UDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3014SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SFG-13 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SFG-13 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:252pF@50V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A14FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:544pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6013LFGQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6013LFGQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6013LFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2577pF@30V

    连续漏极电流:10.3A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H065LFDF-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:252pF@50V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2309pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3014SFGQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2100UDM-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2100UDM-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2100UDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3537pF@20V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2309pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:872pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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