品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R115CFD7AXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@490µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R115CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC159N10LSF G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:2.4V@72µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:9.4A€63A
类型:N沟道
导通电阻:15.9mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R110CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9240-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3072pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:38.6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3907pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9226-75A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3120pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:24.6mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL150N3LLH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:195A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":15000,"23+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9240-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3072pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:38.6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3907pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC118N10NSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@50V
连续漏极电流:11A€71A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7240-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2293pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R115CFD7AXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@490µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC159N10LSF G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:2.4V@72µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:9.4A€63A
类型:N沟道
导通电阻:15.9mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R250CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:3.5V@520µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1420pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":46,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7219-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2108pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: