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    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    功率: 170W
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3195pF@50V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3195pF@50V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3195pF@50V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB28N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订800个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订800个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3195pF@50V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRLPBF 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRLPBF 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS9N60ATRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3195pF@50V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205ZSTRLPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205ZSTRLPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205ZSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3450pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@66A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订250个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-100BS,118 起订250个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3195pF@50V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRLPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRLPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS9N60ATRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS11N50ATRLP 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS11N50ATRLP 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS11N50ATRLP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1423pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BTS244ZE3062AATMA2 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BTS244ZE3062AATMA2 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1000,"9999":666,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BTS244ZE3062AATMA2

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@19A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R7-80BS,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R7-80BS,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3346pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRLPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRLPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS9N60ATRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1600个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118 起订1600个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205ZSTRLPBF 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205ZSTRLPBF 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205ZSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3450pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@66A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R7-80BS,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R7-80BS,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3346pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BTS244ZE3062AATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BTS244ZE3062AATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BTS244ZE3062AATMA2

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2V@130µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@19A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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