采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：168W
阈值电压：3.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@40V
连续漏极电流：52A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：168W
阈值电压：3.8V@108µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@40V
连续漏极电流：52A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：168W
阈值电压：3.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@40V
连续漏极电流：52A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：168W
阈值电压：3.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@40V
连续漏极电流：52A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：168W
阈值电压：3.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@40V
连续漏极电流：52A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：168W
阈值电压：3.8V@108µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@40V
连续漏极电流：52A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：168W
阈值电压：3.8V@108µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@40V
连续漏极电流：52A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：168W
阈值电压：3.8V@108µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@40V
连续漏极电流：52A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：168W
阈值电压：3.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@40V
连续漏极电流：52A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：168W
阈值电压：3.8V@108µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@40V
连续漏极电流：52A€169A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT029N08N5ATMA1
包装方式：卷带（TR）
功率：168W
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：87nC@10V
阈值电压：3.8V@108µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：2.9mΩ@150A，10V
连续漏极电流：52A€169A
输入电容：6500pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R2E06PL，S1X
工作温度：175℃
功率：168W
阈值电压：2.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R2E06PL，S1X
工作温度：175℃
功率：168W
阈值电压：2.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R2E06PL，S1X
工作温度：175℃
功率：168W
阈值电压：2.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
