包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€43W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€43W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":56182}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€43W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€43W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€43W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€43W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€43W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€43W
阈值电压:2V@40µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€43W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
栅极电荷:13.7nC@10V
输入电容:505pF@100V
阈值电压:5V@100µA
包装方式:管件
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:13.7nC@10V
导通电阻:10mΩ@8A,10V
阈值电压:2V@40µA
功率:3W€43W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:13.7nC@10V
导通电阻:10mΩ@8A,10V
阈值电压:2V@40µA
功率:3W€43W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€43W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:505pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.5A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€43W
阈值电压:2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:13.7nC@10V
导通电阻:10mΩ@8A,10V
阈值电压:2V@40µA
功率:3W€43W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: