品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:76W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1199pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@50V
连续漏极电流:8A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0403NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@35A,10
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R155CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:77W
阈值电压:4.5V@320µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1283pF@400V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@6.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@50V
连续漏极电流:8A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€14.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1084pF@15V
连续漏极电流:35.6A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5466A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@20V
连续漏极电流:6.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1890,"23+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI90R1K2C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R170CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@300µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1199pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R170CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS406DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5466A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@20V
连续漏极电流:6.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK50Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1084pF@15V
连续漏极电流:35.6A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90R1K2C3
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@310µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK50ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK50Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@300µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1199pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R170CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@300µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1199pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":858}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:76W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1199pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":63000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1795pF@13V
连续漏极电流:16.7A€49A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:14A€28A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@20V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R155CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:77W
阈值电压:4.5V@320µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1283pF@400V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@6.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@50V
连续漏极电流:8A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: