品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.9V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.9V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5565pF@15V
连续漏极电流:25A€42A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS10N3D2C
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@370µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6215pF@50V
连续漏极电流:151A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2D5N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@68A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5565pF@15V
连续漏极电流:25A€42A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP75NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP448PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4982NFT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:26.5A€207A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS10N3D2C
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@370µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6215pF@50V
连续漏极电流:151A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2840pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5565pF@15V
连续漏极电流:25A€42A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":240,"19+":480}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW15N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@25V
连续漏极电流:13.4A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5565pF@15V
连续漏极电流:25A€42A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP448PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2840pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2D5N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@68A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.9V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2D5N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@68A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2840pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4982NFT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:26.5A€207A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB048N15N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.9V@255µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@75V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2D5N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@68A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2063pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:147mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2196}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N2D5C
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@68A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: