采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR390DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：69.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR390DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：69.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR390DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：69.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：551}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR390DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：69.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR390DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：69.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
