采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E030AJTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ370UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：490mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC160N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.6V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@28A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT250N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7150pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4842BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2504N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@20V
连续漏极电流：890mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R028G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：391W
阈值电压：4V@1.44mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：123nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4820pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@28.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7806ADN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVA4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16407Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2660pF@12.5V
连续漏极电流：31A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：42，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4405NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R380CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：98W
阈值电压：3.5V@260µA
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：14.1A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：18A€63A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
