品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2322pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@31.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT12N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@6A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
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栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@31.5A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2322pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH12N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@6A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@31.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@31.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2322pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2322pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2322pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT12N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@6A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@100V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@36A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT12N150
阈值电压:4.5V@250µA
导通电阻:2Ω@6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:106nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:1500V
包装方式:管件
功率:890W
输入电容:3720pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N60M6
阈值电压:4.75V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:106nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
连续漏极电流:63A
导通电阻:41mΩ@31.5A,10V
漏源电压:600V
输入电容:4360pF@100V
功率:390W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT12N150
阈值电压:4.5V@250µA
导通电阻:2Ω@6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:106nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:1500V
包装方式:管件
功率:890W
输入电容:3720pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@31.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@31.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH12N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@6A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH12N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@6A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@100V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@36A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@31.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2322pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW68N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@100V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@31.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH12N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@6A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH12N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@6A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@100V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@36A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA75N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@100V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@36A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: