品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY4N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:247pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD113PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@800mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY4N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:247pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":707}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP3N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@1.6A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP3N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@1.6A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY4N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:247pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP3N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@1.6A,10V
漏源电压:300V
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库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY4N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:247pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP3N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@1.6A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD113PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@800mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP3N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@1.6A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP3N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@1.6A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY4N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:247pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存: