销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R190P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4.5V@630µ
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP2R4N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1207pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT12N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP2R4N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1207pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOW11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT12N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP2R4N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1207pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R190P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4.5V@630µ
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF13N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:510mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF13N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:510mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOW11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP22N65X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@1.5mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT13N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:510mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOW11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":25100,"23+":8000,"MI+":7000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: