采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL027N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7630pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@35A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：690W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFR26N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@13A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M70BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：690W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38SVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFR26N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@13A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：690W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFR26N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@13A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN26N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：695W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@13A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN26N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：695W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@13A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL027N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7630pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@35A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL027N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@3mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7630pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@35A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN32N100P
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：1000V
阈值电压：6.5V@1mA
导通电阻：320mΩ@16A，10V
包装方式：管件
功率：690W
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：27A
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL027N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：595W
阈值电压：5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7630pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@35A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK32N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14200pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4854pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
