采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP105N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1804pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2513pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2513pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP105N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1804pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP105N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1804pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP105N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1804pF@100V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP19N20C
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@9.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
