品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.9V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:34.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@21.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.9V@1.9mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:34.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@21.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN80N50Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:780W
阈值电压:6.5V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@40A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR44N80P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@22A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.9V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:34.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@21.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR44N80P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@22A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX80N50Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:6.5V@8mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@40A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR44N80P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@22A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.9V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:34.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@21.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: