品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5014SLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3261pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1388pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":220}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA9N90-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1388pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":445}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA9N90-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW10NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW10NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035KNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA9N90-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035KNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@4.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: