品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM043NB04CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4928pF@20V
连续漏极电流:16A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8447L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":150,"15+":6660}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":740}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):CSD18503KCS
功率:188W
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
输入电容:3150pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":524,"22+":320}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8447L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":10,"19+":1055}
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7470PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3430pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":10,"19+":1055}
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7470PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3430pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8447L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8447L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€60W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18504KCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:115W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:53A€100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: