品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1144pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ40N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840ALPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1018pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R280CE
工作温度:-55℃~150℃
功率:30.4W
阈值电压:3.5V@350µA
栅极电荷:32.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:773pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP450PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@8.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP21N50C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@1mA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@13.1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT14N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2297pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R190CEXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:127W
阈值电压:3.5V@510µA
栅极电荷:47.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1137pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@6.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":146849,"16+":16500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU50R950CEAKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:231pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA08N50D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
栅极电荷:12.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:312pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:4.6Ω@400mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP440PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8.8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@5.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF20N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX64N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:830W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8700pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@32A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF13N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2055pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK64N50Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6950pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@32A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF820PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG16N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIB7N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP22N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:277W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3450pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840LCLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR44N50Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:6.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:154mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6630pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5140pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5014SLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3261pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: