采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：105pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：105pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：105pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA02N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：2.63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：102pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA02N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：95pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
