采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4954pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NKCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.65mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：900，"22+"：88398，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF55N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：900，"22+"：88398，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF55N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：0，"22+"：0}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NKCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NKCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：0，"22+"：0}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT66616L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2870pF@30V
连续漏极电流：38.5A€140A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT66616L
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2870pF@30V
连续漏极电流：38.5A€140A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
