采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0065100K
工作温度：-55℃~150℃
功率：113.5W
阈值电压：3.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@15V
包装方式：管件
输入电容：660pF@600V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@20A，15V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：1773}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R060C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：238}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R060C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R060C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：238}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R060C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R060C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0065100K
工作温度：-55℃~150℃
功率：113.5W
阈值电压：3.5V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@15V
包装方式：管件
输入电容：660pF@600V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@20A，15V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035KNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH110N65F-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R060C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035KNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R060C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MICROSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6017LFLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R060C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：1773}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R060C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：162W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2850pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
