采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT56M50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：780W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@28A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH060N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@5.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14685pF@100V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@29A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH060N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@5.8mA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14685pF@100V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@29A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH060N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@5.8mA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14685pF@100V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@29A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH060N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@5.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14685pF@100V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@29A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH060N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@5.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14685pF@100V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@29A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH060N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@5.8mA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14685pF@100V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@29A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：FCH060N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：14685pF@100V
栅极电荷：350nC@10V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@29A，10V
阈值电压：4.5V@5.8mA
包装方式：管件
功率：500W
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
阈值电压：4.5V@250µA
输入电容：4675pF@400V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
功率：245W
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
漏源电压：600V
导通电阻：43mΩ@28A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
阈值电压：4.5V@250µA
输入电容：4675pF@400V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
功率：245W
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
漏源电压：600V
导通电阻：43mΩ@28A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT56M50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：780W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@28A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT56F50B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：780W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@28A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH060N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：4.5V@5.8mA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14685pF@100V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@29A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
