采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.9V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：34.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@21.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R075CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1.9mA
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5060pF@25V
连续漏极电流：34.1A
类型：N沟道
导通电阻：118mΩ@21.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3330pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R075CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.5V@1.7mA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3330pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP38N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@100V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2267，"MI+"：425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTY100N10G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10110pF@25V
连续漏极电流：123A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R075CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.5V@1.7mA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.9V@1.9mA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：34.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@21.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW35N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5060pF@25V
连续漏极电流：34.1A
类型：N沟道
导通电阻：118mΩ@21.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3330pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R075CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.5V@1.7mA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
