采购热线 400-661-9010
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R075CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：174}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R048M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5.7V@6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R048M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5.7V@6mA
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：174}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R048M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5.7V@6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R048M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5.7V@6mA
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48N60M6-4
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2578pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@19.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN44N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：200nC@10V
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48N60M6-4
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2578pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@19.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP39N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：251W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@19.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R075CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：3.5V@1.7mA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4000pF@100V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@26A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R048M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5.7V@6mA
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP39N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：251W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@19.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R048M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5.7V@6mA
栅极电荷：33nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN44N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：200nC@10V
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2318}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF39N20TLDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@19.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
