品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":609}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP15N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP15N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP15N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: