采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@50V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@160mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKCU RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.68nC@4.5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：30pF@30V
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输入电容：30pF@50V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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输入电容：30pF@50V
连续漏极电流：160mA
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包装方式：剪切带（CT）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：240mA
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连续漏极电流：240mA
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功率：298mW
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输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
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功率：298mW
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栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@50V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@160mA，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：240mA
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漏源电压：60V
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类型：N沟道
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工作温度：-55℃~150℃
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