采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU4N52K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：334pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：840mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NM50N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：364pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：790mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU4N52K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：334pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1.25A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FP
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8NM50N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：364pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：790mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NM50N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：790mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NS20T4
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FP
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0651DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：45W
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@12.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5N60M2
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：165pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0651DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：45W
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@12.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0332DPB-01#J0
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5N60M2
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：165pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
