包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
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包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
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类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
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库存:
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销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2106
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
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库存:
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销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
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销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
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类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
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导通电阻:165mΩ@10A,10V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
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库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:2106
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:2106
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@60V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@21A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM60N
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: