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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：160nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF @ 15V
连续漏极电流：60A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：5.5 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：160nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF @ 15V
连续漏极电流：60A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：5.5 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：160nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF @ 15V
连续漏极电流：60A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：5.5 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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