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    品牌: DIODES
    行业应用: 工业
    类型: 2个N沟道
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LDT-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LDT-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020LDT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:670mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:393pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-13 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:400mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.23nC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7 起订600个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7 起订600个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.23nC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LSDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.17W

    阈值电压:1.6V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.56nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LDV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LDV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LDV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:36mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D9LV-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D9LV-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D9LV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.4V@100μA

    栅极电荷:1.23nC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.4Ω

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.23nC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN16M0UCA6-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN16M0UCA6-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN16M0UCA6-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.3V@1mA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    连续漏极电流:17A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UDJ-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:380pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LV-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:1.23nC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LDW-13 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LDW-13 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:1.04nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@30V

    连续漏极电流:261mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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