品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LDT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:670mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:350mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:350mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LDV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:2个N沟道
导通电阻:36mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D9LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:1.4V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:350mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:350mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN16M0UCA6-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:24nC@4.5V
连续漏极电流:17A
类型:2个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:1.23nC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:350mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D4LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.04nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2个N沟道
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: