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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP98DP10LMXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€1.8W
阈值电压：2V@165μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：350pF@50V
连续漏极电流：930mA€1.55A
类型：1个P沟道
导通电阻：980mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP98DP10LMXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€1.8W
阈值电压：2V@165μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：350pF@50V
连续漏极电流：930mA€1.55A
类型：1个P沟道
导通电阻：980mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP98DP10LMXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€1.8W
阈值电压：2V@165μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：350pF@50V
连续漏极电流：930mA€1.55A
类型：1个P沟道
导通电阻：980mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS3401
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
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漏源电压：30V
输入电容：680pF@15V
功率：1.2W
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：680pF@15V
功率：1.2W
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISP98DP10LMXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€1.8W
阈值电压：2V@165μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：350pF@50V
连续漏极电流：930mA€1.55A
类型：1个P沟道
导通电阻：980mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP98DP10LMXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€1.8W
阈值电压：2V@165μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：350pF@50V
连续漏极电流：930mA€1.55A
类型：1个P沟道
导通电阻：980mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：雷卯电子
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SE3401
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：68pF@15V
导通电阻：45.5mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP98DP10LMXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€1.8W
阈值电压：2V@165μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：350pF@50V
连续漏极电流：930mA€1.55A
类型：1个P沟道
导通电阻：980mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
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品牌：雷卯电子
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SE3401
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：68pF@15V
导通电阻：45.5mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP98DP10LMXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€1.8W
阈值电压：2V@165μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：350pF@50V
连续漏极电流：930mA€1.55A
类型：1个P沟道
导通电阻：980mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：雷卯电子
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SE3401
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：68pF@15V
导通电阻：45.5mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP98DP10LMXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€1.8W
阈值电压：2V@165μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：350pF@50V
连续漏极电流：930mA€1.55A
类型：1个P沟道
导通电阻：980mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：雷卯电子
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SE3401
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：68pF@15V
导通电阻：45.5mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP98DP10LMXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€1.8W
阈值电压：2V@165μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：350pF@50V
连续漏极电流：930mA€1.55A
类型：1个P沟道
导通电阻：980mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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