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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP4101LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15.23nC@4.5V
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：97.26pF@6V
导通电阻：69mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP4101LT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：15.23nC@4.5V
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：97.26pF@6V
导通电阻：69mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：4.6A
输入电容：118pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
漏源电压：20V
栅极电荷：8.2nC@8V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
阈值电压：950mV@250μA
连续漏极电流：4.6A
输入电容：118pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
漏源电压：20V
栅极电荷：8.2nC@8V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ950UPELYL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ950UPELYL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ950UPELYL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2070UQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：118pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTS21115C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@6.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ950UPELYL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ950UPELYL
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
阈值电压：950mV@250μA
功率：360mW€2.7W
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2327
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4nC@4.5V
连续漏极电流：1.2A
输入电容：365pF@10V
阈值电压：950mV@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
功率：335mW€2.17W
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
