采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L020SPTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD160P05TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@16A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5H020SPTL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD160P05TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@16A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD160P05TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@16A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L015SPTL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H045SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@4.5A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L015SPTL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H045SPTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@4.5A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD160P05TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@16A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H160SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@16A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L020SPTCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3030SN-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3030SN-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H160SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@16A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD160P05TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@16A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8107，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H045SPTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@4.5A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
