品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTRV4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8950,"22+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1H
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1H
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1H
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1H
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTRV4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1902
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3139PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@780mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:70nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@16V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":303000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":606,"22+":21000,"23+":57000,"24+":358}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:70nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@16V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:70nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@16V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2460,"22+":845}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@16V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: