品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4184PFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4184PFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4184PFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4184PFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4184PFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.2nC@4.5V
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
功率:500mW
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.2nC@4.5V
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
功率:500mW
类型:P沟道
漏源电压:12V
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4184PFR2G
导通电阻:95mΩ@3A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.2nC@4.5V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
功率:770mW
输入电容:360pF@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD23285F5T
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:4.2nC@4.5V
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
功率:500mW
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4184PFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23285F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@6V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: