采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：533980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2801-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2801-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：533980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2801-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1131
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1305DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：450mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1131
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1305DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：450mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
