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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH50P10
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：4350pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75P04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：9.7mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4103DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：14A€16A
类型：P沟道
导通电阻：7.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75P04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€138W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：9.7mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ461EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4710pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ461EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4710pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ461EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4710pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
