采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW5P06A_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW5P06A_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW5P06A_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
