品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
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输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
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输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
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类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
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类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
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连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
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连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
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连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
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类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
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ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
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类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: