品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:散装
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@420mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
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输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1345-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1020pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:275mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:散装
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@420mA,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
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包装方式:散装
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连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
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类型:P沟道
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
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类型:P沟道
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:散装
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连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@420mA,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1345-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1020pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:275mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
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类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
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连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@420mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@420mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:散装
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@420mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
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连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
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类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:散装
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@420mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: