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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR015P06HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR015P06HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSR015P06HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR015P06HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR015P06HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR015P06HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR015P06HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
